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                            <label id="212a7"><pre id="212a7"></pre></label><listing id="212a7"><delect id="212a7"></delect></listing>

                            绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)集功率金属氧化物半导体场效应晶 体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)和功率晶体管的输出特性于一 体,具有栅极驱动功率低、工作频率高、输出电流 大和通态电阻小等优点,在电力电子变换器中的应 用日益普遍,受到了广泛的关注

                            2019-04-14 12:57:27 Westpac Electronics
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                            绝缘栅双极性晶体管(insulated gate bipolar
                            transistor
                            IGBT)集功率金属氧化物半导体场效应晶
                            体管
                            (metal-oxide-semiconductor field-effect
                            transistor
                            MOSFET)和功率晶体管的输出特性于一
                            体,具有栅极驱动功率低、工作频率高、输出电流
                            大和通态电阻小等优点,在电力电子变换器中的应
                            用日益普遍,受到了广泛的关注和研究
                            [1-4]。建立实
                            用准确的
                            IGBT 模型,对变换器的安全可靠运行和
                            电气性能优化具有重要的指导意义。
                            在电力电子器件的建模研究中,有
                            2 类模型被
                            广泛采用,即物理模型和功能型模型。目前有
                            3
                            较常见的物理模型:
                            Hefner 模型[5-8]Kuang Sheng
                            模型[9]Kraus 模型[10]。这类模型基于器件内部的
                            物理机制,能比较准确地描述器件的稳态或动态特
                            性,但也存在很大的不足:
                            1)要求用户清楚地知
                            IGBT 的内部结构,模型参数众多?#20063;?#25968;值的确
                            定较为复杂
                            [11],这对于一般使用器件的用户来说有
                            一定困难;
                            2)含有大量的复杂微分方程,模型计
                            算量大,仿真时间长
                            [12],且存在计算收?#21442;?#39064;[11],在
                            复杂的多
                            IGBT 电路中,该问题尤为突出。对于 IGBT
                            的功能型模型[12-14]来说,尽管其仿真速度比物理模
                            型大大加快了,但它们只考虑器件的外部特性,物
                            理概念不明确,参数调整不容易,通用性较差。
                            本文从?#23548;?#24212;用的角度出发,提出一?#20013;?#30340;
                            IGBT 开关瞬态和稳态模型,并在电力电子专用仿
                            真软件
                            PSIM 中实现。该模型分阶段模拟 IGBT
                            开关瞬态过程,并采用曲线拟合的方式实现
                            IGBT
                            稳态特?#32536;?#24314;模。与物理模型相比

                            0755-88267606 00852-2763 5991 021-5489 1460
                            福建十一选五任三
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                                                        <pre id="212a7"><kbd id="212a7"><table id="212a7"></table></kbd></pre>

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                                                                    <mark id="212a7"><button id="212a7"></button></mark>
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                                                                            <small id="212a7"><delect id="212a7"></delect></small>
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                                                                            二分彩是骗人的吗 二人麻将8张牌 疯狂赌徒2投注 狗的幸运生肖 乱世王者 跑跑圣诞企鹅防御炸弹 纽卡斯尔大学琴房 青龙出海APP下载 广西快3走势图今天快3 两情人中彩票新闻 电子游艺是什么 激情球迷 快乐赛车开奖结果app 以太坊官方钱包手机版 云达不莱梅vs纽伦堡 热火队赛程